主要特性
芯片特性
低功耗運(yùn)行:< 2mA @ 4MHz / 2.7V,典型值;
片上存儲(chǔ)器:512KB EFlash,96KB SRAM;
低功耗高精度實(shí)時(shí)鐘;
4 路高速磁耦主端模塊;
1 個(gè) 12 位高精度 ADC;
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